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1
Technologie hochintegrierter Schaltungen
Springer-Verlag Berlin Heidelberg
Dr.-Ing. Dietrich Widmann
,
Dr.-Ing. Hermann Mader
,
Dr.-Ing. Hans Friedrich (auth.)
abb
maske
schicht
abschn
poly
sioz
silizium
bzw
photoresist
urn
erzeugung
schaltungen
atzung
schichten
si0
verfahren
oxidation
abscheidung
transistoren
tabelle
integrierten
cvd
polysilizium
resist
beseitigung
siliziumscheibe
ionenimplantation
zeigt
wahrend
elektronen
aluminium
photolithographie
abbildung
diffusion
vgl
cmos
fiir
dotierung
oberflache
siliziumscheiben
sowie
technik
substrat
ionen
meist
plasma
phosphor
atzrate
atzen
einzelnen
Година:
1996
Език:
german
Файл:
PDF, 9.67 MB
Вашите тагове:
0
/
0
german, 1996
2
Prozeßtechnologie: Fertigungsverfahren für integrierte MOS-Schaltungen
Springer-Verlag Berlin Heidelberg
Dr. rer. nat. Günter Schumicki
,
Dr.-Ing. Peter Seegebrecht (auth.)
fiir
abb
silizium
verfahren
iiber
abschnitt
z.b
scheibe
oxidation
bzw
oxid
implantation
si0
zeigt
temperatur
sowie
scheiben
schicht
maske
mub
daher
diffusion
urn
hohe
transistoren
schaltungen
aufgrund
prozeb
schichten
bereich
silicon
parameter
kanal
wahrend
wiihrend
gate
plasma
technik
erfolgt
herstellung
ionen
tabelle
hohen
strukturen
substrat
siehe
innerhalb
schaltung
besteht
funktion
Година:
1991
Език:
german
Файл:
PDF, 25.24 MB
Вашите тагове:
0
/
0
german, 1991
3
Technologie hochintegrierter Schaltungen
Springer Berlin Heidelberg
Dr.-Ing. Dietrich Widmann
,
Dr.-Ing. Hermann Mader
,
Dr.-Ing. Hans Friedrich (auth.)
abb
z.b
schicht
silizium
si0
maske
bzw
abschn
schichten
oxidation
photoresist
schaltungen
polysilizium
urn
sioz
erzeugung
atzung
cvd
technik
diffusion
ionenimplantation
zeigt
aluminium
verfahren
resist
siliziumscheiben
dotierung
technologie
atzen
elektronen
integrierten
meist
scheiben
erfolgt
siliziumscheibe
abbildung
transistor
poly
abscheidung
substrat
sowie
phosphor
arsen
atzrate
dotierten
hohen
kanal
fiir
iiber
beseitigung
Година:
1988
Език:
german
Файл:
PDF, 12.68 MB
Вашите тагове:
0
/
0
german, 1988
4
Silizium-Halbleitertechnologie
Vieweg+Teubner Verlag
Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann (auth.)
silizium
bild
urn
verfahren
oxidation
technik
transistoren
bzw
oxid
wahrend
substrat
aluminium
prozess
lasst
schaltungen
wafer
dotierung
diffusion
herstellung
aufgabe
kristall
oberflache
scheibenoberflache
infolge
tiber
uber
erforderlich
chips
erfolgt
hohen
schicht
folgt
verbindung
kanal
aufgrund
hohe
dicke
schichten
temperatur
folglich
ionen
aufgaben
scheiben
maske
gleichzeitig
scheibe
bereich
entsprechend
implantation
polysilizium
Година:
1999
Език:
german
Файл:
PDF, 7.80 MB
Вашите тагове:
0
/
0
german, 1999
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