Лавинный пробой p-n перехода в полупроводниках

Книга посвящена описанию процессов ударной ионизации и лавинного пробоя в полупроводниках. Рассматривается умножение носителей в однородных p-n переходах и расчет параметров этих переходов в области пробоя, физические процессы при микроплазменном пробое реальных p-n переходов, свойства микроплазм и причины их возникновения, вольт-амперная характеристика и перегрузочная способность кремниевых лавинных вентилей большой площади, связь этих характеристик со структурными несовершенствами и качеством кремния. Книга предназначена для широкого круга специалистов, занимающихся разработкой, исследованием, производством и применением полупроводниковых приборов.